ios中输入偏置电流的示例分析

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输入偏置电流Ib（Input Bias Current）

输入偏置电流定义为：当运放的输出直流电压为零时，两输入端的偏置电流平均值。

输入偏置电流对进行高阻信号放大、积分电路等对输入阻抗有要求的地方有较大的影响。输入偏置电流与制造工艺有一定关系，其中双极型管的输入偏置电流在±10nA~1μA之间；采用场效应管做输入级的，输入偏置电流一般低于1nA。

对于双极性运放，该值离散性很大，但几乎不受温度影响；

而对于MOS型运放，该值是栅极漏电流，值很小，但受温度影响较大。

输入偏置电流Ib是由于运放两个输入级都有漏电流的存在（如上图所示）

并且：

• 输入偏置电流就定义这两个电流的平均值

• 输入失调电流就定义为两个电流的差

输入偏置电流的来源：

三极管：三极管线性工作时的基极电流

FET：输入引脚ESD保护二极管的漏电流（FET的栅极电流很小）

输入失调电流Ios（Input Offset Current）

输入失调电流定义为：当运放的输出直流电压为零时，其两输入端偏置电流的差值。

输入失调电流同样反映了运放内部的电路对称性，对称性越好，输入失调电流越小。

输入失调电流是运放的一个十分重要的指标，特别是精密运放或是用于直流放大时。

输入失调电流大约是输入偏置电流的百分之一到十分之一。

输入失调电流对于小信号精密放大或是直流放大有重要影响，特别是运放外部采用较大的电阻（例如10k或更大时），输入失调电流对精度的影响可能超过输入失调电压对精度的影响。输入失调电流越小，直流放大时中间零点偏移越小，越容易处理。所以对于精密运放是一个极为重要的指标。

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